单片机的两种清0方式有什么区别

单片机文档的时候一般寄存器是rw类型，还有一些是r或者w，对于一些特殊寄存器的置1是由硬件自动实现的，比如标志位flag、中断int，但清0还是需要通过软件进行操作，清0方式有两种，写1清0，写0清0，这两种方式有什么区别呢？在硬件实现上有什么不同？

单片机的两种清0方式有什么区别

单片机内部有各种功能的寄存器，比如PIC,C51系列8位的单片机，寄存器的宽度就是八个二进制位，一般是高位在前低位在后，例如：11000011，一共是八位，高四位数据是1100，低四位数据是0011。单片机是可以进行位操作的，一个8位的寄存器我们可以只针对其中一个位或者某些位进行操作，将寄存器相应的位赋值1（高电平）为置位，相反赋值0（低电平）为清零。这是一种比较容易理解的方式，但对于写1清0有几种说法。

1、从电路角度去看，对某位写1，即输入一个高电平，使内部的一个三极管导通接地，电容放电进行清0。

2、写1是在硬件上产生一个复位脉冲。能写0清除就很可能也可以写1进去，而这与功能要求不符。如要控制只能写0而不能写1，则硬件比较复杂。

3、从应用便捷性角度来说，读了寄存器数据以后，照着写回去就可以清0，不用再更改一次数据。

还有寄存器一般支持的是byte, half word, word操作，对于寄存器上有几个标志位的情况下，完成对单一标志位的清0，又不影响其他标志位，但又必须对其他位进行写，因此也就只能是写1或者写0清0才有效，只能一种方式。

个人理解，有什么不对的，烦请评论指正探讨，尽信书不如无书，理越辩越明

51单片机用汇编语言实现存储器块清零

一、 单片机存储器结构

80C51存储器可以分成两大类：

ROM：写入信息后不易改写的存储器。断电后，其中的信息保留不变。用来存放固定的程序或数据，如系统监控程序、常数表格等。

RAM：CPU在运行时能随时进行数据的写入和读出，但在关闭电源时，其所存储的信息将丢失。用来存放暂时性的输入输出数据、运算的中间结果或用作堆栈。

学习中要注意片内外程序存储器配置、片内外数据存储器配置及特殊功能寄存器（SFR）的功能。

相关指令和程序：

◆伪指令 ORG、END

◆指令 MOV

INC

CLR

CJNE

◆程序 顺序结构

循环结构

二、流程图：

三、步骤：

运行Keil uVision软件，新建一个工程（如clr），新建一个文件CLR.asm。 将文件添加到工程。输入代码进行编程，完成后编译。如有错，请更改直到编译成功。单击“Project”菜单，在下拉菜单中单击“Start/Stop Debug Session”（或者使用快捷键Ctrl+F5）进入调试模式。在这个模式下会出现MeMory窗口（如果没有可单击View\MeMory Window）。

然后点击单步运行（step into）如图：

小箭头表示当前执行到的程序。程序先给存储单元30H-39H中写入数据，在MeMory Window窗口中会显示如下图：（在存储器窗口中输入D:30H,然后单步执行）

继续单步运行，这些存储单元的数据又被清空。

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